コールドウォール型化学気相成長法

コールドウォール型化学気相成長法

半導体製法
成膜方法
熱反応を利用した熱化学気相成長(熱CVD)法の一つ、基板をあらかじめ所定の成膜温度に熱加熱しておき、原料気体を加熱された基板表面へ導入し,ここで化学反応を起こして基板の表面に成膜する。コールドウォール型は,基板を加熱するヒーターは真空容器の中に設置され、成膜をおこなう基板およびその近傍のみを加熱するため、原料の利用効率が高い。真空内の構造が複雑であり、約500°C以下の低温プロセスに使用されることが多い。この構造のヒーターは、通常、抵抗加熱ヒーターを使用することが多いが、ハロゲンランプなどのランプ加熱を使用すると、基板の急速加熱、急速冷却ができ、高速熱処理が可能になる。

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