新型の薄膜多結晶太陽電池。光吸収層の材料として、シリコンの代わりに、Cu、In、Ga、Al、Se、Sなどから成るカルコパイライト系と呼ばれるI-III-VI族化合物を用いる。代表的なものはCu(In,Ga)Se2 やCu(In,Ga)(Se,S)2, CuInS2 などで、それぞれCIGS, CIGSS, CIS と略称される。CIS 系太陽電池は薄くすることができ、結晶シリコンの 150～200μm に対して、2～3μm と非常に薄く、大量生産時のコスト低減につながる。製造法や材料のバリエーションが豊富で、低コスト品から高性能品まで対応できる。多結晶であるため、大面積化や量産化に向き、フレキシブルなものやカスタマイズ品も作りやすい。シリコン太陽電池が苦手とする分野から実用化が始まっている。また、禁制帯幅が材料次第で自由に変えられることから将来の多接合型太陽電池への応用も期待されている。