薄膜トランジスタは、印加されたゲート電圧によって蓄積層を形成してコンダクタンスを制御する。これは通常の MOSFET が反転層を形成してコンダクタンスを制御するのとは大きく異なる。すなわちn型のキャリアは電子、p型のキャリアはホールであることも特徴であり、同時にソース電極およびドレイン電極付近でpn接合を形成しない為、チャネル層の物質如何によってはpおよびn型両方の特徴を兼ね備えるアンバイポーラとして機能する。