金属-半導体接合面におけるショットキー障壁高さ（ショットキーバリア高さ）の定義は、n型半導体とp型半導体とで異なり、n型では伝導帯端とフェルミ準位の差、p型では価電子端とフェルミ準位の差である。金属-半導体接合がオーミックコンタクトかショットキー障壁かは、接合のショットキー障壁高さΦBに依存する。ショットキー障壁高さΦBが熱エネルギー kTよりも十分に大きい場合は、半導体は金属との界面で空乏層を形成し、ショットキー障壁としてふるまう。ショットキー障壁高さが小さい場合は、半導体に空乏層はなく、オーミックコンタクトを作る。金属から半導体へ、電流の担い手となるキャリアを注入するためには、このポテンシャルの障壁を乗り越えなければならない。