シリコンカーバイド（SiC）は、シリコン (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体材料である。絶縁破壊電界強度がSiの10倍、バンドギャップがSiの3倍と優れていること、デバイス作製に必要なp型、n型の制御が広い範囲で可能であることなどから、Siの限界を超えるパワーデバイス材料として期待されている。SiCには様々なポリタイプ（結晶多系）が存在し、それぞれ物性値が異なる。パワーデバイス向けには4H-SiCが最適とされている。