電子ドナーを半導体に混合させたときに出現するエネルギー準位を指す。シリコン半導体においては、４価の元素半導体シリコン（Si）に不純物として５価の元素ヒ素（As）を微量添加すると、Siとの共有結合から余ったAsの5番目の電子は、As陽イオンによる遮蔽されたクーロンポテンシャルによって束縛され、As陽イオンの周辺に存在する。このAs陽イオンに束縛された弱い結合の電子は、少しの熱エネルギーでSiの伝導帯に移り、キャリアーとなる。Asは電子を供給するのでドナーと呼ばれ、そのエネルギー準位（電子の束縛準位）がドナー準位である。ドナー準位は伝導帯のすぐ下に存在し、0.049eV程度の小さい値である。この場合は、電子がキャリア―となりｎ形半導体になる。一方、有機半導体の分野でドナー準位というと、電子ドナー性の分子を混合あるいは接合させた場合に、その分子のHOMO準位で代表させることが多い。