半導体中において、電界のみが印加されたときに生じるキャリア移動の指標であり、ドリフト電流（→キャリアドリフト）に対してもとめられる移動度。キャリアは電界によって加速されるが、トラップに捕捉されたり不純物原子などに衝突を繰り返すことによってドリフト速度とよばれる平均速度になる。このドリフト速度は電界に比例し、この比例定数をドリフト移動度とよぶ。