バンドギャップ

応用物理・応用化学
半導体物理
結晶のバンド構造における、禁制帯のエネルギー幅。価電子帯の上部から伝導帯の下部までのエネルギーの差を指す。この幅が広いと絶縁体、狭いと半導体になり、かつ半導体の特性を左右する。有機半導体においては、主にHOMO-LUMOのエネルギー差を指すことが多い。光吸収などで光学的に測定した値と、サイクリックボルタンメトリーなどの電気化学的手法で測定した値で差がでることも多く、観測手法などの明示が必要となる。

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