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奥本研究所
斜め蒸着
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斜め蒸着
斜め蒸着
半導体製法
パターニング方法
真空蒸着によって薄膜を形成する際に、基板を蒸発源に対して大きく傾斜させて配置すると、シャドーイング効果によって数10 nm ~数100 nm の太さのコラム構造が自然に形成される。蒸着中に基板の向きを変えてやることで螺旋やジグザグなど様々な3次元形態の制御が可能である。
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