酸化物半導体を活性層に用いたトランジスタ。ポリエチレンテレフタラート（PET）など軽量で曲げられるプラスチックフィルムの上に、薄膜を容易に形成でき、かつ　アモルファスシリコンや有機トランジスタを活性層に用いたTFTよりも優れた性能のものが開発され、液晶ディスプレイのトランジスタなどに実用化されている。無機物半導体であるため、熱的・化学的な安定性に優れている。用いる酸化物としては、インジウムーガリウムー亜鉛酸化物（IGZO)が最も広く用いられている。また、多結晶シリコントランジスタよりもオフ電流が小さいため、待機電力を低減できる。