半導体内でキャリアが一時的に捕えられて動けなること。不純物原子や格子欠陥が原因で起こる。半導体内でドナー準位やアクセプタ準位以外で，伝導帯や価電子帯からかなり離れた禁制帯中の局在したエネルギー準位をもつものによる。半導体中のキャリアがトラップされる時は、もっているエネルギーを光や熱として放出して捕えられる。電子が捕えられることを電子トラップ，正孔が捕えられることを正孔トラップという。この場合，捕えられた電子や正孔は外部から適当なエネルギーをもらうと，また元の伝導帯や価電子帯に戻ってキャリアになる。