単結晶基板上にその結晶と同一方位をもつ単結晶を成長させる技術のこと。成長層が基板結晶と同一材料の場合をホモエピタキシャル成長（homo-epitaxial growth） 、異種材料の場合をヘテロエピタキシャル成長（hetero-epitaxial growth）と呼び区別している。エピタキシャル成長技術は特に半導体デバイス製作にとって不可欠の重要な技術である。成長方法には多くの種類があるが、目的とする結晶ならびにデバイス製作に最適の方法がとられる。このなかで応用上特に重要な方法は、気相エピタキシャル法における化学的熱分解法や化学蒸着法 (chemical vapor deposition法，CVD法)、あるいは液相エピタキシャル法における溶液再結晶化法 (solution regrowth法) である。