ブリッジマン(Bridgman)法

ブリッジマン(Bridgman)法

半導体製法
結晶成長
大きな単結晶を得るために P.ブリッジマンが考案した結晶製作法。実験・研究用の半導体、金属材料の結晶製作ならびに各種デバイス用の半導体、タービンブレードなどの金属材料の単結晶製品に用いられる。一端のとがった容器中に原材料を入れて全量溶融したのち。温度勾配をもつ垂直型電気炉内を低温側へ降下させ、先端部から徐々に凝固させる。凝固の初期段階では先端部に小さな結晶核がいくつかできるがその数は比較的少く、凝固の進行とともに、そのうちのより早く結晶化する方位の結晶核が他を圧倒し1個の単結晶となる。横型 (水平) ブリッジマン法と呼ばれる水平方向に移動させる方法もある。

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