ヘテロ接合とは、異なる半導体同士の接合である。無機半導体においては、ヘテロ接合は通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。半導体はそれぞれ固有のエネルギーバンドをもつため、一般にヘテロ接合ではバンドギャップの違う半導体を接合することになる。組み合わせによって、p-n，n-n，p-pの接合が形成され、構造によって電子現象が変わってくる。電子のエネルギーバンド構造がなめらかにつながることはほとんどなく、接合部に急峻な変化が生じ、伝導帯と価電子帯のエネルギー障壁の高さの違い、電子と正孔の輸送の仕方の違いから電子電流あるいは正孔電流のみが流れることなどを使い、多彩な電子現象を実現できるのが最大の特徴である。応用例としては、広い波長域にわたって効率よく光を電気に変換できるヘテロ接合型太陽電池（HIT）、発光部分を局所的に集中して効率よく発光させる半導体レーザー、また、高電子移動度トランジスタ（HEMT）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）などがある。