熱反応を利用した熱化学気相成長（熱CVD）法の一つ、基板をあらかじめ所定の成膜温度に熱加熱しておき、原料気体を加熱された基板表面へ導入し，ここで化学反応を起こして基板の表面に成膜する。ホットウォール型は、基板を加熱するヒーターは真空容器の外側に設置され、真空容器を構成する石英ガラスを通して加熱する。加熱機構が真空の外側にあるため、反応容器内の構造を簡略化することが可能で、反応系を高純度に保つことができる。化合物半導体のエピタキシャル成長など、純度を重視した CVD に利用されている。