半導体に光が入射した時、通常は光のエネルギーがバンドギャップよりも高くなければ吸収は起こらない。この吸収の起こる光の最小エネルギーを基礎吸収端と呼ぶ。半導体に高い電界を印加すると、基礎吸収端は長波長側に移動する（フランツ・ケルディシュ効果）。この効果は半導体中の電子の波動関数がバンドギャップにしみ出すことによって起こる。