分光エリプソメトリー

分光エリプソメトリー

評価・解析方法
半導体評価方法
エリプソメトリーは、偏光した光を試料に入射させ、試料での光反射による偏光状態の変化から試料の光学定数(屈折率、消衰係数)や薄膜の膜厚などを評価する方法である。測定プローブとして光を用いるため、非破壊かつ数秒程度の短時間で試料を評価することができる。きわめて高い測定精度をもち、各種材料の膜厚や光学特性の基礎評価に広く用いられている。

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