半導体と絶縁体、金属、あるいは別の半導体との界面においては、半導体結晶の周期性が損なわれるため、バルク半導体と異なり、ダングリングボンドや歪みによるボンド長の変化、点欠陥、格子間原子、置換原子等によってバルクとは異なるエネルギー状態をとる。界面制御とはこれらを制御することで、デバイスの特性向上のために重要である。