窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体である。高い絶縁破壊強度、速いスイッチング速度、高い熱伝導率、低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れている。窒化ガリウム結晶は、サファイア、炭化ケイ素（SiC）、シリコン（Si）などのさまざまな基板上で成長させることができる。GaNは、半導体パワー・デバイスだけでなく、RF部品、発光ダイオード（LED）などに使われている。また、電力変換、RF、およびアナログなどの各アプリケーションにおいてシリコン半導体の置き換えとなる能力が実証されている。