間接遷移とは、価電子帯の頂上Evと伝導帯の底Ecが一致しない、すなわち、波数空間（k空間）において、EvとEcが異なる波数ベクトル点に存在している場合をいう。伝導帯に励起された電子は、フォトンによるエネルギーの放出だけではなく、運動量保存の法則から運動量も放出する必要がある。ところが、フォトンは質量が小さく、ほとんど運動量がないめ、格子振動（フォノン）によって運動量を変化させた後に、フォトンとの相互作用で価電子帯に遷移する。間接遷移型半導体では、フォトンの放出よりもフォノンの放出が多いため、発光効率が低い。